碳化硅作為一種重要的結構陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換器、密封環(huán)、滑動(dòng)軸承等傳統工業(yè)領(lǐng)域，還可作為防彈裝甲材料、空間反射鏡、半導體晶圓制備中夾具材料及核燃料包殼材料。

      隨著(zhù)科技的不斷發(fā)展，碳化硅陶瓷在半導體領(lǐng)域的應用需求量急劇增長(cháng)，而高熱導率是其應用于半導體制造設備元器件的關(guān)鍵指標，因此加強高導熱碳化硅陶瓷的研究至關(guān)重要。減少晶格氧含量、提高致密性、合理調控第二相在晶格中的分布方式是提高碳化硅陶瓷熱導率的主要方法。

      目前，我國有關(guān)高導熱碳化硅陶瓷的研究較少，且與世界水平相比尚存在較大差距，今后的研究方向包括：1）加強碳化硅陶瓷粉體的制備工藝研究，高純、低氧碳化硅粉的制備是實(shí)現高熱導率碳化硅陶瓷制備的基礎；2）加強燒結助劑的選擇及其相關(guān)理論研究；3）加強高端燒結裝備的研發(fā)，通過(guò)調控燒結工藝得到合理的顯微結構是獲得高熱導率碳化硅陶瓷的必備條件。